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半導體係指一種導電性可受控制，範圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如電腦、行動電話或是數位錄放音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有矽、鍺、砷化鎵等，而矽更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。
材料的導電性是由“傳導帶”（conduction band）中含有的電子數量決定。當電子從“價帶”（valence band）獲得能量而跳躍至“導電帶”時，電子就可以在帶間任意移動而導電。一般常見的金屬材料其導電帶與價電帶之間的“能隙”非常小，在室溫下電子很容易獲得能量而跳躍至導電帶而導電，而絕緣材料則因為能隙很大（通常大於9電子伏特），電子很難跳躍至導電帶，所以無法導電。
一般半導體材料的能隙約為1至3電子伏特，介於導体和絕緣體之間。因此只要給予適當條件的能量激發，或是改變其能隙之間距，此材料就能導電。
半导体通过电子传导或電洞傳导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似，即在电场作用下高度离子化（ionization）的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。電洞导电则是指在正离子化的材料中，原子核外由于电子缺失形成的“空穴”，在电场作用下，空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流（一般称为正电流）。
材料中载子（carrier）的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他“杂质”（三、五族元素）来控制。如果我們在純矽中摻雜（doping）少許的砷或磷（最外層有五個電子），就會多出一個自由電子，這樣就形成N型半導體；如果我們在純矽中摻入少許的硼（最外層有三個電子），就反而少了一個電子，而形成一個電洞（空穴），這樣就形成P型半導體（少了一個帶負電荷的電子，可視為多了一個正電荷）。

概觀
关于此话题更进一步的细节，參見能帶結構。
半導體中的電子所具有的能量被限制在基態（ground state）與自由電子（free electron）之間的幾個「能帶」（energy band）裡，也就是電子所具備的能量必定為不連續的能階。當電子在基態時，相當於此電子被束縛在原子核附近；而相反地，如果電子具備了自由電子所需要的能量，那麼就能完全離開此材料。每個能帶都有數個相對應的量子態（quantum state），而這些量子態中，能量較低的都已經被電子所填滿。這些已經被電子填滿的量子態中，能量最高的就被稱為價帶（valence band）。半導體和絕緣體在正常情況下，幾乎所有電子都在價帶或是其下的量子態裡，因此沒有自由電子可供導電。
半導體和絕緣體之間的差異在於兩者之間能隙（energy bandgap）寬度不同，亦即電子欲從價帶跳入傳導帶（conduction band）時所必須獲得的最低能量不一樣。通常能隙寬度小於3電子伏特（eV）者為半導體，以上為絕緣體。
在絕對零度時，固體材料中的所有電子都在價帶中，而傳導帶為完全空置。當溫度開始上升，高於絕對零度時，有些電子可能會獲得能量而進入傳導帶中。傳導帶是所有能夠讓電子在獲得外加電場的能量後，移動穿過晶體、形成電流的最低能帶，所以傳導帶的位置就緊鄰價帶之上，而傳導帶和價帶之間的差距即是能隙。通常對半導體而言，能隙的大小約為1電子伏特上下。在傳導帶中，和電流行成相關的電子通常稱為自由電子。又根據包利不相容原理（Pauli exclusion principle），同一個量子態內不能有兩個電子，已經被填滿的能帶無法導電，因為該能帶內的所有量子態都已經被電子佔據，所以半導體材料的傳導帶不會被電子佔滿，讓電子可以在其中的量子態間移動。
在價帶內的電子獲得能量後便可躍升到傳導帶，而這便會在價帶內留下一個空缺，也就是所謂的「電洞」（electron holes）。傳導帶中的電子和價帶中的電洞都對電流傳遞有貢獻，電洞本身不會移動，但是其它電子可以移動到這個電洞上面，等效於電洞本身往反方向移動。相對於帶負電的電子，電洞的電性為正電。
由化學鍵結的觀點來看，獲得足夠能量、進入傳導帶的電子也等於有足夠能量可以打破電子與固體原子間的共價鍵（covalent bonds），而變成自由電子，進而對電流傳導做出貢獻。
半導體和導體之間有個顯著的不同是半導體的電流傳導同時來自電流與電洞的貢獻，而導體的費米能階（Fermi level）則已經在傳導帶內，因此電子不需要很大的能量即可找到空缺的量子態供其跳躍、造成電流傳導。
固體材料內的電子能量分布遵循費米-狄拉克分佈（Fermi-Dirac Distribution）。在絕對零度時，材料內電子的最高能量即為費米能階，當溫度高於絕對零度時，費米能階為所有能階中，被電子占據機率等於0.5的能階。半導體材料內電子能量分布為溫度的函數也使其導電特性受到溫度很大的影響，當溫度很低時，可以跳到傳導帶的電子較少，因此導電性也會變得較差。

半導體的能帶結構
上述關於能帶結構的內容為了簡化，因此跳過了一個重要的現象，稱為「能量的色散」（dispersion of energy）。同一個能帶內之所以會有不同能量的量子態，原因是能帶的電子具有不同波向量（wave vector），或是k-向量。在量子力學中，k-向量即為粒子的動量，不同的材料會有不同的能量-動量關係（E-k relationship）。
能量-動量色散關係式能決定電子或電洞的「等效質量」（effective mass），以m 代表，公式如下：
等效質量可視為聯繫量子力學與古典力學的一個參數。這個參數對於半導體材料而言十分重要，例如它和電子或電洞的「遷移率」（electrons or holes mobility）有高度關聯。電子或電洞的遷移率對於半導體元件的載子傳輸是相當基本的參數。
電子和電洞的等效質量不相等，這也造成了兩者的遷移率不同，進而讓N-通道和P-通道的MOSFET導電性不同。
半導體材料的傳導帶底部和價帶頂端在能量-動量座標上可能會處在不同的k值，這種材料叫做「間接能隙材料」（in-direct bandgap material），例如矽（silicon）或是鍺（germanium）。相對地，如果某種材料的傳導帶底部和價帶頂端有相同的k值，這種材料稱為「直接能隙材料」（direct bandgap material），最常見的例子是砷化鎵（GaAs）。電子在直接能隙材料的價帶與傳導帶的躍遷不涉及晶格動量的改變，因此發光的效率高過間接能隙材料甚多，砷化鎵也因此是光電半導體元件中最常見的材料之一。

能量-動量色散
关于此话题更进一步的细节，參見載子的產生與復合。
當離子化的輻射能量落在半導體時，可能會讓價帶中的電子吸收到足夠能量而躍遷至傳導帶，並在價帶中產生一個電洞，這種過程叫做「電子-電洞對的產生」（generation of electron-hole pair）。而其他夠大的能量，如熱能，也可以同樣產生出電子-電洞對。
電子-電洞對則會經由復合（recombination）的過程而被消滅。根據能量守恆的觀念，在傳導帶中的電子必須回到價帶，將所得到的能量釋放出來。能量釋放的形式包括熱能或輻射能，而這兩種能量量子化後的表徵分別是聲子（phonon）以及光子（photon）。
對於處在穩態（steady state）的半導體而言，電子-電洞對的產生與復合速率是相等的。而在一個已給定的溫度下，電子-電洞對的數量可由量子統計求得。量子力學處理此類問題時必須同時遵守能量以及動量守恆。

載子的產生與復合
关于此话题更进一步的细节，參見摻雜（半導體）。
半導體之所以能廣泛應用在今日的數位世界中，憑藉的就是其能藉由在其晶格中植入雜質改變其電性，這個過程稱之為摻雜（doping）。摻雜進入本質半導體（intrinsic semiconductor）的雜質濃度與極性皆會對半導體的導電特性產生很大的影響。而摻雜過的半導體則稱為外質半導體（extrinsic semiconductor）。

半導體的摻雜
哪種材料適合作為某種半導體材料的摻雜物（dopant）需視兩者的原子特性而定。一般而言，摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負被區分為施體（donor）與受體（acceptor）。施體原子帶來的價電子（valence electrons）大多會與被摻雜的材料原子產生共價鍵，進而被束縛。而沒有和被摻雜材料原子產生共價鍵的電子則會被施體原子微弱地束縛住，這個電子又稱為施體電子。和本質半導體的價電子比起來，施體電子躍遷至傳導帶所需的能量較低，比較容易在半導體材料的晶格中移動，產生電流。雖然施體電子獲得能量會躍遷至傳導帶，但並不會和本質半導體一樣留下一個電洞，施體原子在失去了電子後只會固定在半導體材料的晶格中。因此這種因為摻雜而獲得多餘電子提供傳導的半導體稱為n型半導體（n-type semiconductor），n代表帶負電荷的電子。
和施體相對的，受體原子進入半導體晶格後，因為其價電子數目比半導體原子的價電子數量少，等效上會帶來一個的空位，這個多出的空位即可視為電洞。受體摻雜後的半導體稱為p型半導體（p-type semiconductor），p代表帶正電荷的電洞。
以一個矽的本質半導體來說明摻雜的影響。矽有四個價電子，常用於矽的摻雜物有三價與五價的元素。當只有三個價電子的三價元素如硼（boron）摻雜至矽半導體中時，硼扮演的即是受體的角色，摻雜了硼的矽半導體就是p型半導體。反過來說，如果五價元素如磷（phosphorus）摻雜至矽半導體時，磷扮演施體的角色，摻雜磷的矽半導體成為n型半導體。
一個半導體材料有可能先後摻雜施體與受體，而如何決定此外質半導體為n型或p型必須視摻雜後的半導體中，受體帶來的電洞濃度較高或是施體帶來的電子濃度較高，亦即何者為此外質半導體的「多數載子」（majority carrier）。和多數載子相對的是少數載子（minority carrier）。對於半導體元件的操作原理分析而言，少數載子在半導體中的行為有著非常重要的地位。

摻雜物
摻雜物濃度對於半導體最直接的影響在於其載子濃度。在熱平衡的狀態下，一個未經摻雜的本質半導體，電子與電洞的濃度相等，如下列公式所示：
n = p = n_i
其中n是半導體內的電子濃度、p則是半導體的電洞濃度，n_i則是本質半導體的載子濃度。n_i會隨著材料或溫度的不同而改變。對於室溫下的矽而言，n_i大約是1×10以上的半導體在室溫下通常就會被視為是一個「簡併半導體」（degenerated semiconductor）。重摻雜的半導體中，摻雜物和半導體原子的濃度比約是千分之一，而輕摻雜則可能會到十億分之一的比例。在半導體製程中，摻雜濃度都會依照所製造出元件的需求量身打造，以合於使用者的需求。

載子濃度
摻雜之後的半導體能帶會有所改變。依照摻雜物的不同，本質半導體的能隙之間會出現不同的能階。施體原子會在靠近傳導帶的地方產生一個新的能階，而受體原子則是在靠近價帶的地方產生新的能階。假設摻雜硼原子進入矽，則因為硼的能階到矽的價帶之間僅有0.045電子伏特，遠小於矽本身的能隙1.12電子伏特，所以在室溫下就可以使摻雜到矽裡的硼原子完全解離化（ionize）。
摻雜物對於能帶結構的另一個重大影響是改變了費米能階的位置。在熱平衡的狀態下費米能階依然會保持定值，這個特性會引出很多其他有用的電特性。舉例來說，一個p-n接面（p-n junction）的能帶會彎折，起因是原本p型半導體和n型半導體的費米能階位置各不相同，但是形成p-n接面後其費米能階必須保持在同樣的高度，造成無論是p型或是n型半導體的傳導帶或價帶都會被彎曲以配合接面處的能帶差異。
上述的效應可以用能帶圖（band diagram）來解釋，如右圖。在能帶圖裡橫軸代表位置，縱軸則是能量。圖中也有費米能階，半導體的本質費米能階（intrinsic Fermi level）通常以E_i來表示。在解釋半導體元件的行為時，能帶圖是非常有用的工具。

摻雜對半導體能帶結構的影響
為了滿足量產上的需求，半導體的電性必須是可預測並且穩定的，因此包括摻雜物的純度以及半導體晶格結構的品質都必須嚴格要求。常見的品質問題包括晶格的錯位（dislocation）、雙晶面（twins），或是堆疊錯誤（stacking fault）都會影響半導體材料的特性。對於一個半導體元件而言，材料晶格的缺陷通常是影響元件性能的主因。
目前用來成長高純度單晶半導體材料最常見的方法稱為裘可拉斯基製程（Czochralski process）。這種製程將一個單晶的晶種（seed）放入溶解的同材質液體中，再以旋轉的方式緩緩向上拉起。在晶種被拉起時，溶質將會沿著固體和液體的介面固化，而旋轉則可讓溶質的溫度均勻。

半導體材料的製造
半导体器件可以通过结构和材料上的设计达到控制电流传输的目的，并以此为基础构建各种处理不同信号的电路。这是半导体在当前电子技术中广泛应用的原因。

延伸閱讀

導體
絕緣體
半导体材料

材料

固体物理、固態物理
物理化学
热力学
電路學
电子学
集成电路

物理学

半导体工业
半导体工艺

工业

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參考資料

電子
電路