"巨磁阻效应"的搜尋報告

3．80年代末，IBM公司推出MR（Magneto Resistive磁阻）技术令磁头灵敏度大大提升，使盘片的储存密度较之前的20Mbpsi（bit/每平方英寸）提高了数十倍，该技术为硬盘容量的巨大提升奠定了基础。1991年，IBM应用该技术推出了首款3.5英寸的1GB 硬盘。.....目前比较常用的是GMR（Giant Magneto Resisive）巨磁阻磁头，GMR磁头的使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构，这比以前的传统磁头和MR（Magneto Resisive）磁阻磁头更为敏感，相对的磁场变化能引起来大的电阻值...

大量的研究主要集中在各种有序的构型以及对电磁特性的影响,相分离以及巨磁电阻效应的联系上,本论文主要研究在钙钛矿结构化合物中的p-d杂化效应以及它对体系磁状态的影响。本论文的主要内容安排如下: 第一章介绍了巨磁阻锰...

薛博士称，MDT的TMR技术涵盖了AMR(各向异性磁阻)、GMR(巨磁阻)、霍尔效应和干簧管等现有磁传感器技术的重要长处，并战胜了这些技术的重要局限性。因而，MDT的TMR磁传感器将高频响、低功耗、高敏锐度、宽测量空隙、耐用...

巨磁阻效應是二十世紀末最偉大的發明之一，其發明開啟了自旋電子學（spintronics）領域的蓬勃發展，使得今日的科技大大向前躍進。 巨磁阻現象的發現是在1988年由德國尤利西研究中心的彼得‧葛倫伯格（Peter Grunberg）和巴黎第...

这种新型磁开关传感器由多维科技的TMR技术（隧道磁阻）支持，是包括接近开关、速度传感器和位置传感器的多种高性能工业类应用的最佳选择。...电压供电时低至5微安的功耗●持续运行以保证可靠测量●在-40到125摄氏度区间展现出优秀的温度稳定性●TMR磁传感器和信号处理ASIC集成于小型的SOT-23或TO-92封装薛博士称，MDT的TMR技术涵盖了AMR（各向异性磁阻）、GMR（巨磁阻）、霍尔效应和干簧管等现有磁传感器技术的主要优点，并克服了这些技术的重要局限性。